品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTGLQ25H120T1G
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1.43nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.43nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTGLQ25H120T1G
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:1.43nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:20A
导通电阻:26mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.43nF@25V
功率:33W
漏源电压:60V
阈值电压:2.2V@10μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: