采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6520ENJTL
功率：231W
阈值电压：4V@630μA
栅极电荷：61nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：205mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP340PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6520ENZC17
功率：68W
阈值电压：4V@630μA
栅极电荷：61nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：205mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R12KT4
输入电容：1.4nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：5.8V@7.6mA
正向压降：1.65V@200A
关断延迟时间：450ns
关断损耗：14mJ
开启延迟时间：160ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT模块
集电极电流(Ic)：1.75V@200A，15V
导通损耗：10mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6520ENJTL
功率：231W
阈值电压：4V@630μA
栅极电荷：61nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：205mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP340PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6.6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9540SPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9540SPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.7W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R12KT4
输入电容：1.4nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：5.8V@7.6mA
正向压降：1.65V@200A
关断延迟时间：450ns
关断损耗：14mJ
开启延迟时间：160ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT模块
集电极电流(Ic)：1.75V@200A，15V
导通损耗：10mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6520ENZC17
功率：68W
阈值电压：4V@630μA
栅极电荷：61nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：205mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6520ENJTL
功率：231W
阈值电压：4V@630μA
栅极电荷：61nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：205mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.3Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6520ENZC17
功率：68W
阈值电压：4V@630μA
栅极电荷：61nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：205mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF200R12KT4
输入电容：1.4nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：5.8V@7.6mA
正向压降：1.65V@200A
关断延迟时间：450ns
关断损耗：14mJ
开启延迟时间：160ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：IGBT模块
集电极电流(Ic)：1.75V@200A，15V
导通损耗：10mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.3Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.3Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.3Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.3Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
