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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€1.06W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：100mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：1.2mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKS，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€1.06W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€1.06W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：375mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€1.06W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：13pF@10V
功率：150mW
栅源击穿电压：50V
栅源截止电压：1.5V@100nA
工作温度：125℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：14mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
