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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD05N50Z-1G 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD05N50Z-1G 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订50个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订50个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF5N50FD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF5N50FD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF5N50FD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD05N50Z-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD05N50Z-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":350,"11+":659500,"14+":3075,"16+":2400}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF5N50FD 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF5N50FD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD05N50Z-1G 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD05N50Z-1G 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD05N50Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:18.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2.2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE20PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE20PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBE20GPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIBE20GPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@840mA,10V

    包装方式:管件

    输入电容:530pF@25V

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:800V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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