采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG4227
功率：150W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：20mΩ@10V，46A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4227
功率：150W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：20mΩ@10V，46A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4227
功率：150W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：20mΩ@10V，46A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG50N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：1.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：12.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4227
功率：150W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：20mΩ@10V，46A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG50N06
功率：110W
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
阈值电压：1.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
导通电阻：12.5mΩ@4.5V，15A
反向传输电容：165pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP32N20C
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
功率：156W
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，14A
连续漏极电流：28A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG50N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：1.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：12.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD95N4F3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4227
功率：150W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：20mΩ@10V，46A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：7W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：24nC@4.5V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"16+"：2，"20+"：4}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM50GD60DLCBOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：2.2nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃ ~ 125℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG50N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：1.9V@250μA
栅极电荷：58nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF@25V
导通电阻：12.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
