品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA50IH65DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:260ns
关断损耗:284µJ
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:158nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,50A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA50IH65DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:260ns
关断损耗:284µJ
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:158nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,50A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS00TS65HRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:115ns
关断损耗:1.29mJ
开启延迟时间:36ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:58nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.46mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":556}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS00TS65HRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:115ns
关断损耗:1.29mJ
开启延迟时间:36ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:58nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.46mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS00TS65DHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:103ns
关断损耗:1.29mJ
开启延迟时间:36ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:58nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.46mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT00TS65DGC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:137ns
反向恢复时间:54ns
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKW50N65ET7XKSA1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:350ns
反向恢复时间:93ns
关断损耗:850µJ
开启延迟时间:26ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:290nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.65V@15V,50A
导通损耗:1.2mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS00TS65DHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:103ns
关断损耗:1.29mJ
开启延迟时间:36ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:58nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.46mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS00TS65HRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:115ns
关断损耗:1.29mJ
开启延迟时间:36ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:58nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.46mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT00TS65DGC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:137ns
反向恢复时间:54ns
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":556}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA50M65DF2
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:130ns
反向恢复时间:162ns
关断损耗:1.57mJ
开启延迟时间:42ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:150nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:880µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IKW50N65ET7XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:350ns
反向恢复时间:93ns
关断损耗:850µJ
开启延迟时间:26ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:290nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.65V@15V,50A
导通损耗:1.2mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA50T65SHD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:73.6ns
反向恢复时间:34.6ns
关断损耗:384µJ
开启延迟时间:22.4ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:87nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.28mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA50IH65DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:260ns
关断损耗:284µJ
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:158nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,50A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA50IH65DF
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:260ns
关断损耗:284µJ
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:158nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2V@15V,50A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS00TS65EHRC11
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:113ns
开启延迟时间:36ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:58nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS00TS65DHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:115ns
反向恢复时间:103ns
关断损耗:1.29mJ
开启延迟时间:36ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:58nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.46mJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BIDW50N65T
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:125ns
反向恢复时间:37.5ns
关断损耗:1.1mJ
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:123nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:3mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: