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品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
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栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
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工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
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反向恢复时间：90ns
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集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
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工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
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工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
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类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
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类型：沟槽型场截止
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
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库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
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类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"18+"：11064}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
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工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
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反向恢复时间：90ns
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集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
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工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
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集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
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反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
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集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
关断延迟时间：120ns
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
ECCN：EAR99
工作温度：175℃
导通损耗：412µJ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：53nC
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极脉冲电流(Icm)：40A
反向恢复时间：90ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：38，"21+"：1252}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20H60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：177ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：261µJ
开启延迟时间：42.5ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：115nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2V@15V，20A
导通损耗：209µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60R2DT4G
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：40A
关断延迟时间：120ns
反向恢复时间：90ns
关断损耗：140µJ
开启延迟时间：48ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：53nC
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，10A
导通损耗：412µJ
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
