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IXYS IGBT IXDH20N120 起订10个装

品牌：IXYS

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

数据手册

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDH20N120

包装方式：Tube

集电极脉冲电流(Icm)：38A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：IGBT管

集电极电流(Ic)：2.4V

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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IXYS IGBT IXDH20N120 起订3个装

品牌：IXYS

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

数据手册

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDH20N120

包装方式：Tube

集电极脉冲电流(Icm)：38A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：IGBT管

集电极电流(Ic)：2.4V

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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IXYS IGBT IXDH20N120 起订30个装

品牌：IXYS

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

数据手册

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDH20N120

包装方式：Tube

集电极脉冲电流(Icm)：38A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：IGBT管

集电极电流(Ic)：2.4V

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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IXYS IGBT IXDH20N120 起订1个装

品牌：IXYS

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

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包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDH20N120

包装方式：Tube

集电极脉冲电流(Icm)：38A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：IGBT管

集电极电流(Ic)：2.4V

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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IXYS IGBT IXDH20N120 起订3个装

品牌：IXYS

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXDH20N120

类型：IGBT管

集电极脉冲电流(Icm)：38A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

集电极电流(Ic)：2.4V

工作温度：-55℃~+150℃

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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Microchip IGBT APT60GF120JRDQ3 起订1个装

品牌：Microchip

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

数据手册

包装规格(MPQ)：10psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT60GF120JRDQ3

ECCN：EAR99

包装方式：管件

输入电容：7.08nF@25V

栅极阈值电压(Vge(th))：3V@15V，100A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：NPT(非穿通型)

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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ST IGBT STGF3NC120HD 起订数30个

品牌：ST

分类：IGBT

销售单位：个

反向恢复时间：51ns

关断损耗：0.29mJ

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

导通损耗：0.236mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

- +

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ST IGBT STGF3NC120HD 起订数10个

品牌：ST

分类：IGBT

销售单位：个

反向恢复时间：51ns

关断损耗：0.29mJ

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

导通损耗：0.236mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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Microchip IGBT APT60GF120JRDQ3 起订100个装

品牌：Microchip

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

数据手册

包装规格(MPQ)：10psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：APT60GF120JRDQ3

ECCN：EAR99

包装方式：管件

输入电容：7.08nF@25V

栅极阈值电压(Vge(th))：3V@15V，100A

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

类型：NPT(非穿通型)

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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Microchip IGBT APT25GR120B 起订数100个

品牌：Microchip

分类：IGBT

销售单位：个

栅极阈值电压(Vge(th))：3.2V@15V，25A

关断延迟时间：122ns

关断损耗：0.427mJ

开启延迟时间：16ns

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

栅极电荷：203nC

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.742mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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onsemi IGBT HGTG5N120BND 起订1020个装

品牌：ON SEMI

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

数据手册

销售单位：个

规格型号(MPN)：HGTG5N120BND

ECCN：EAR99

包装方式：管件

栅极阈值电压(Vge(th))：2.7V@15V，5A

关断延迟时间：160ns

反向恢复时间：65ns

关断损耗：0.39mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

栅极电荷：53nC

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.45mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

库存：

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onsemi IGBT HGTG5N120BND 起订2010个装

品牌：ON SEMI

分类：IGBT

行业应用：汽车,工业

数据手册

销售单位：个

规格型号(MPN)：HGTG5N120BND

ECCN：EAR99

包装方式：管件

栅极阈值电压(Vge(th))：2.7V@15V，5A

关断延迟时间：160ns

反向恢复时间：65ns

关断损耗：0.39mJ

开启延迟时间：22ns

集电极截止电流(Ices)：1.2kV

栅极电荷：53nC

类型：NPT(非穿通型)

导通损耗：0.45mJ

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1

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