采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K34NTCN
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K34NTCN
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：1.6Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS138LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP56D0UFB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：425mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.58nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50.54pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@100mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@200mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
