采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231N0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：0.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.5pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@10mA，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@3V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP231P0201TR-G
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：34pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
