品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH16N20D2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:695W(Tc)
栅极电荷:208 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:5500 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 8A,0V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH16N20D2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:695W(Tc)
栅极电荷:208 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:5500 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 8A,0V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH16N20D2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:695W(Tc)
栅极电荷:208 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:5500 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 8A,0V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH16N50P
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:300W(Tc)
阈值电压:5.5V @ 2.5mA
栅极电荷:43 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2250 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:400 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH16N20D2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:695W(Tc)
栅极电荷:208 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:5500 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 8A,0V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH16N20D2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:695W(Tc)
栅极电荷:208 nC @ 5 V
包装方式:管件
输入电容:5500 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:73 毫欧 @ 8A,0V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:45W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:50 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: