品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3407-ES
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3407-ES
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4128}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:18+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:18+
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3407-ES
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3407-ES
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.5nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:63pF
导通电阻:38mΩ@10V,4.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: