采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K32HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2290
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：482pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.8W
阈值电压：3.5V@80µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：752pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA537EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：12V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：752pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6342-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA2TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：365pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ045N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA918EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA533EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K32HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA811ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€6.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3050LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD900N60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA517DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
