采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6600 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6600 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：6600 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
栅极电荷：90 nC @ 10 V
导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
功率：150W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1487}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R9-60E，118
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：263W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7480 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6600 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6600 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
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规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
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ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
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规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2334
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：104W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130 pF @ 30 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2334
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：100A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：104W（Tc）
输入电容：5130 pF @ 30 V
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：2334
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：100A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：104W（Tc）
输入电容：5130 pF @ 30 V
栅极电荷：78 nC @ 7.5 V
阈值电压：3.4V @ 250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：1.7 毫欧 @ 20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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