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    连续漏极电流: 700mA
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C014BCT2CL 起订数500个
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C014BCT2CL 起订数500个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:400mW

    阈值电压:1V@100μA

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数12000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数12000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:250mΩ@10V,400mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数99000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数99000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:250mΩ@10V,400mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:250mΩ@10V,400mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C014BCT2CL 起订数100个
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C014BCT2CL 起订数100个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:400mW

    阈值电压:1V@100μA

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C014BCT2CL 起订数10个
    ROHM Mosfet场效应管 RV2C014BCT2CL 起订数10个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:400mW

    阈值电压:1V@100μA

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.4A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数99000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3030SN-7 起订数99000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:500mW

    漏源电压:30V

    导通电阻:250mΩ@10V,400mA

    阈值电压:3V@1mA

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    输入电容:160pF@10V

    工作温度:-65℃~+150℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D5UFB4-7B 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D5UFB4-7B 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:460mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:500pC@4.5V

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:970mΩ@5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D5UFB4-7B 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D5UFB4-7B 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:46.1pF@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:970mΩ@5V,100mA

    功率:460mW

    栅极电荷:500pC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D5UFB4-7B 起订数70000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D5UFB4-7B 起订数70000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:46.1pF@10V

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:700mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:970mΩ@5V,100mA

    功率:460mW

    栅极电荷:500pC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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