采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：970mΩ@5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：2.9nC@10V
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V，1.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4.6nC@10V
输入电容：235pF@50V
连续漏极电流：700mA
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3882}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：4V
栅极电荷：3.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
输入电容：46.1pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：970mΩ@5V，100mA
功率：460mW
栅极电荷：500pC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：700mA
输入电容：113pF@10V
栅极电荷：1.4nC@4.5V
类型：2个N沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，700mA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
阈值电压：4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.5Ω
漏源电压：100V
栅极电荷：3.1nC
类型：MOSFET
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：3882}
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：PXP1500-100QSJ
阈值电压：4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：700mA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.5Ω
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：3.1nC
类型：MOSFET
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
输入电容：60pF@10V
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.5nC@4.5V
连续漏极电流：700mA
漏源电压：25V
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
输入电容：46.1pF@10V
漏源电压：20V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：970mΩ@5V，100mA
功率：460mW
栅极电荷：500pC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
