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    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订数200个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订数200个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:28W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 210µA

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    输入电容:440 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:650 毫欧 @ 2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:28W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 210µA

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    输入电容:440 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:650 毫欧 @ 2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA65R650CEXKSA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:28W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 210µA

    栅极电荷:23 nC @ 10 V

    输入电容:440 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:650 毫欧 @ 2.1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    输入电容:344 pF @ 400 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPLK60R600PFD7ATMA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:600 毫欧 @ 1.7A,10V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    输入电容:344 pF @ 400 V

    漏源电压:600V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    栅极电荷:8.5 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    阈值电压:4.5V @ 80µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订数4000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订数4000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:78W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:40 nC @ 10 V

    输入电容:680 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数4000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数4000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订数200个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R650CEXKSA1 起订数200个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-40°C~150°C(TJ)

    功率:28W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 200µA

    栅极电荷:20.5 nC @ 10 V

    输入电容:440 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:650 毫欧 @ 2.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD7N60E-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:78W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:40 nC @ 10 V

    输入电容:680 pF @ 100 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:600 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P60Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:150°C(TJ)

    功率:60W(Tc)

    阈值电压:4V @ 240µA

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    连续漏极电流:7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK560P65Y,RQ 起订数1000个

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    漏源电压:650V

    阈值电压:4V @ 240µA

    连续漏极电流:7A(Tc)

    工作温度:150°C(TJ)

    栅极电荷:14.5 nC @ 10 V

    输入电容:380 pF @ 300 V

    导通电阻:560 毫欧 @ 3.5A,10V

    类型:N 通道

    功率:60W(Tc)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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