采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：2.9nC @ 5V
输入电容：280pF @ 10V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：2.9nC @ 5V
输入电容：280pF @ 10V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：2.9nC @ 5V
输入电容：280pF @ 10V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：2.5V @ 1mA
工作温度：150°C（TJ）
输入电容：280pF @ 10V
漏源电压：40V
栅极电荷：2.9nC @ 5V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
功率：2W（Ta）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：15W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 250µA
栅极电荷：36 nC @ 10 V
输入电容：1260 pF @ 20 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：43 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：15W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 250µA
栅极电荷：36 nC @ 10 V
输入电容：1260 pF @ 20 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：43 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
输入电容：1030 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1030 pF @ 10 V
类型：P 通道
功率：1W（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
漏源电压：20V
连续漏极电流：6A（Ta）
阈值电压：1V @ 1mA
导通电阻：30.1 毫欧 @ 4A，4.5V
栅极电荷：16.6 nC @ 4.5 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
