采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y19-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9，5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y19-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9，5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：20000，"1F+"：20000，"1G+"：27500，"1H+"：7500，"1J+"：10000，"1K+"：27500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DPA-01#J0B
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
输入电容：3.85nF@10V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：707，"13+"：266，"9999"：500，"17+"：65}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP45P03P4L11AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3770pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：11.1mΩ@45A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0330DPB-01#J0
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y19-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@9，5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI045N03PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：16W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.3nF@15V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R203NC，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45P03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI045N03PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：16W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.3nF@15V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
