品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:1V
栅极电荷:165nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:1V
栅极电荷:165nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:1V
栅极电荷:165nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):20N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1609pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2323,"23+":91736,"24+":29717,"MI+":70416}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D5
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:25A
类型:1个P沟道
导通电阻:58mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG25P06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:18.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86581-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000,"23+":683}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):25P06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:3.384nF@30V
连续漏极电流:25A
类型:1个P沟道
导通电阻:31mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86581-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000,"23+":683}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0651DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:45W
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@12.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":11000,"23+":683}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0651DPB-00#J5
工作温度:150℃
功率:45W
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@12.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@4,7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2323,"23+":91736,"24+":29717,"MI+":70416}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25N06S4L30ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: