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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：25A
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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