品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
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输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP33N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
功率:83W
导通电阻:50mΩ@10A,10V
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类型:N沟道
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工作温度:-55℃~175℃
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栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1024pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
功率:83W
导通电阻:50mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:1.024nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: