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    连续漏极电流
    25A
    行业应用
    包装方式
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流: 25A
    行业应用: 工业
    包装方式: 散装
    当前匹配商品:9
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":5000}

    包装规格(MPQ):325psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0366DPA-02#J0B

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.01nF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0621DPP-E0#T2 起订188个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJJ0621DPP-E0#T2 起订188个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":650}

    包装规格(MPQ):156psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJJ0621DPP-E0#T2

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:1.55nF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:56mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H038SPDW-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H038SPDW-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H038SPDW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€39W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:散装

    输入电容:544pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订391个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订391个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":5000}

    包装规格(MPQ):325psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0366DPA-02#J0B

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.01nF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":5000}

    包装规格(MPQ):325psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0366DPA-02#J0B

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.01nF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0366DPA-02#J0B 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"1E+":5000}

    包装规格(MPQ):325psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0366DPA-02#J0B

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.01nF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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