品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G160N04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:43W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:1.01nF@20V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:76pF@20V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01
功率:83W
导通电阻:50mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:25A
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:1.024nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: