采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD600N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LSG-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€36W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y29-40E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：664pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@1.1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA466EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@1V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@9A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：124W
阈值电压：4.5V@570µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@11.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：20N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1609pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€42W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：22.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1510pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
