品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC600N25NS3GATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.35nF@100V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H070LDG-TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:96W
阈值电压:4.8V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@16A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: