采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN8320DT1AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：1nF@15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@15V
导通电阻：9.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G160N04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：1.01nF@20V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：76pF@20V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R090CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：127W
阈值电压：4.5V@630μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.513nF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@12.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN8320DT1AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：1nF@15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@15V
导通电阻：9.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD25N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3.5nF@25V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，12.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：4.8V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@400V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@16A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
