采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1615
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：83489}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP101-V-TL-H
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L070ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：83489}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP101-V-TL-H
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L070ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0651DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：45W
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180N03PQ33 RGG
工作温度：150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L070ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6R025BHTB1
工作温度：150℃
功率：2W€59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@75V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L070ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10TL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ250P10FRATL
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：63mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
