采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9640-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9640-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3072pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y24-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8，2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：429，"14+"：2029，"15+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：161W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R085P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：154W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85312Q3E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@10V
连续漏极电流：39A
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：12.4mΩ@10A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
