品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9640-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:48nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9640-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:48nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1200}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76633P3-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@39A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9640-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:48nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.4V@1mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9640-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:48nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.4V@1mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:66W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8,2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9640-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:48nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3072pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: