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    连续漏极电流
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    连续漏极电流: 3A
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 4V@250µA
    栅极电荷: 7.12nC@10V
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订6个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订6个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:257.3pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订30个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订30个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:257.3pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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