采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@3A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3P6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2310
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：330pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@30V
导通电阻：100mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT03N06-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：500mV
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：105mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR030N06TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@3A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1K1P06LL
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR030N06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6185SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：180000，"22+"：186000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB85ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR030N06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
