采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZF030P01TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP250，135
工作温度：150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E030ATTCR
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：732pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7439DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@5.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7439DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@5.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ193P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3413L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：857pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E030ATTCR
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP250，135
工作温度：150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2315BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.85A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23203W
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：914pF@4V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：227394，"17+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3348-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6E030ATTCR
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2123LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFS2P753Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3413
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：97mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3A30PZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1651pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5203TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：98mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3P6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2523P
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：212578，"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6355-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：172pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：169mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7439DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@5.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3421E
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
