采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV60ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1812
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055L108T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2R1000MT17J
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：管件
输入电容：139pF@1000V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
