品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZF030P01TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:8Ω@1.5A,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E030ATTCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:91mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2523P
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ193P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK80ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:575pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:515mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:79mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E030ATTCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:91mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:257.3pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP250,135
工作温度:150℃
功率:1.65W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: