品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:305pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:305pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
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栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:305pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
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漏源电压:400V
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库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
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包装方式:管件
输入电容:305pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:400V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:3A
类型:N沟道
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漏源电压:400V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:3A
类型:N沟道
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漏源电压:400V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:305pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
输入电容:700pF@25V
漏源电压:900V
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
包装方式:管件
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NK40Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:305pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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