采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K52FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：36947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：36947}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT6NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：1.8W€8.3W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
