品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDFS2P753Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7103TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7103TRPBFXTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3800,"21+":5728,"22+":58000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7103QTR
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7103TRPBFXTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6185SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:606pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5614P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:759pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7103TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7103QTR
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7103TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: