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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
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功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：IRFI9620GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：1.5Ω@1.8A，10V
漏源电压：200V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：IRFI9620GPBF
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类型：N沟道
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功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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功率：30W
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ECCN：EAR99
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规格型号(MPN)：IRFI9620GPBF
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1.5Ω@1.8A，10V
连续漏极电流：3A
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类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
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功率：30W
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
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功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：69W
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工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SIHD3N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@100V
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类型：N沟道
导通电阻：3.2Ω@2.5A，10V
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