品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52FRATB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:170mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT1003A
功率:1.6W
阈值电压:1.7V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K52GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:170mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K52GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:170mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT1003A
功率:1.6W
阈值电压:1.7V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K52GZETB
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:170mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1003A
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:622pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":36947}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":36947}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6NQ10T,135
工作温度:-65℃~150℃
功率:1.8W€8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K52HZGTB
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:8.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:3A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: