采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTN2310A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2310A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：19.5pF@30V
导通电阻：105mΩ@10V，3.0A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
