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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS2DNF30L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：121pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS2DNF30L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：121pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R.LF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@0.1mA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@15V
导通电阻：67Ω@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS2DNF30L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：121pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS2DNF30L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：121pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS2DNF30L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：121pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R.LF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@0.1mA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@15V
导通电阻：67Ω@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS2DNF30L
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：121pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：2W
导通电阻：110mΩ@1A，10V
连续漏极电流：3A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R.LF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@0.1mA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@15V
导通电阻：67Ω@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS2DNF30L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：121pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：110mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
