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    连续漏极电流
    3A
    类型
    行业应用
    连续漏极电流: 3A
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:4.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:134pF@400V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8802DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8802DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH3N200P3HV 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH3N200P3HV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP4NK80ZFP 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STP4NK80ZFP 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP4NK80ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:575pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订6个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB1R4CH C5G 起订6个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB1R4CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:7.12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:257.3pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订78个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订78个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K0P7AKMA1 起订917个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K0P7AKMA1 起订917个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@400V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP3NK90Z 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP3NK90Z 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP3NK90Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:22.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN339AN 起订6个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN339AN 起订6个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN339AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:4.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:134pF@400V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3NK90ZT4 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD3NK90ZT4 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3NK90ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:22.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E030AJTCL 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1003A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1003A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1003A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:622pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订67个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2302-TP 起订67个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@50µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:237pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP5N105K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP5N105K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP5N105K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:210pF@100V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:1050V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2310-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2310-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:247pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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