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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：18+
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：122pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：173pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
类型：N沟道
功率：60W
连续漏极电流：3A
阈值电压：5V@100µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3P50D，RQ(S
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：60W
连续漏极电流：3A
阈值电压：4.4V@1mA
输入电容：280pF@25V
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
