品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3410TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2385,"21+":3174,"22+":2050}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3410
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN069-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:645pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:72.4mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3410TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":700,"17+":41164}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2385,"21+":3174,"22+":2050}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3410
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H099SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:81mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2385,"21+":3174,"22+":2050}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3410
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI540GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2385,"21+":3174,"22+":2050}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR3410
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR3410TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1600ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: