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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB057N06N
功率：3W
阈值电压：2.8V@36μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，45A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：17A
功率：1.6W€34W
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：2nF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C670NLT3G
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：6.1mΩ@10V，35A
功率：3.6W
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
