品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:103W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":446}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
工作温度:150℃
功率:2.5W€170W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3206PS
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:2.6V@500µA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:760pF@480V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,8V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:103W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3206PD
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:2.6V@500µA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:760pF@480V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,8V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":68398,"22+":1006,"23+":2000,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:103W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:103W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":446}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
工作温度:150℃
功率:2.5W€170W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035VNXC7G
功率:81W
阈值电压:6.5V@1.1mA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2.4nF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:114mΩ@8A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3206PS
工作温度:-55℃~175℃
功率:96W
阈值电压:2.6V@500µA
栅极电荷:9.3nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:760pF@480V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,8V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":68398,"22+":1006,"23+":2000,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R150G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:106W
阈值电压:4V@260µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:902pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4125
工作温度:150℃
功率:2.5W€170W
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:610mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24NM60N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: