品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP24N60M6
工作温度:-55℃~150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
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功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
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连续漏极电流:17A
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导通电阻:190mΩ
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
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连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
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连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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