采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1L002SNMGTL
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002_R1_00001
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：800pC@5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：220pC@4.5V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@100μA
栅极电荷：340pC@4.5V
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2pF@25V
导通电阻：1.7Ω@10V，250mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@100μA
栅极电荷：340pC@4.5V
输入电容：36pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
