采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
类型：P沟道
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
输入电容：640pF@8V
漏源电压：8V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：206pF@15V
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
阈值电压：1V@250µA
功率：625mW
栅极电荷：6.4nC@10V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
类型：P沟道
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
输入电容：640pF@8V
漏源电压：8V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
类型：P沟道
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
输入电容：640pF@8V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
